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吴德馨
2019-07-10

吴德馨(1936-),女,半导体器件和集成电路专家。1936年12月20日生于河北乐亭。1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。中国科学院微电子中心研究员。

60年初,作为主要负责人之一,在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管,所提出的提高开关速度的方案被广泛采用,并向全国推广。六十年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制,并进行了提高成品率的研究。首先在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺,独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。80年代末期自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术,用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术,和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。目前正在从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究。

从事半导体器件与集成电路的研究与开发,曾获国家和中科院一等奖3项。1992年被国家科委聘为“深亚微米结构器器件和介观物理”项目首席科学家。在国内率先提出了利用MEMS结构实现激光器和光纤的无源耦合。并研究成功工作速率达10Gbps的光发射模块。其中“先进的深亚微米工艺技术及新型器件”获2003年北京市科学技术一等奖。开展了12项课题的研究。为介观物理基础和新结构器件的进一步研究打下基础。作为工艺负责人研究成功N沟MOS4K、16K动态随机存储器和成品率的提高。独创了检验接触孔质量的露点检测法。并推广到上海器件五厂。分别获得1980和1981年中科院科技成果一等奖两次。负责平面型高速开关管的研究,独立解决了提高开关速度的关键问题,并推广至上海器件五厂和109厂,为两弹一星采用的109计算机提供器件基础。获国家新产品一等奖。2004年,获何梁何利技术科学奖。

1991当选为中国科学院院士(学部委员)。




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